فلشهای Quad-level-cell (QLC) NAND در سال جاری توسط چندین شرکت تولیدشده است . اگر شما سال 2017 را با ناامیدی به خاطر قیمتهای بالای SSDs سپری کرده باشید اکنون ظهور quad-level cell NAND میتواند پاسخی برای حل مشکلات سختافزاری باشد . نقص های جدید اینتل نشان میدهد که QLC 3D NAND SSDs در آیندهای نهچندان دور از راه میرسد درحالیکه Marvel کنترلکنندههای حافظه خودش را در CES 2018 به نمایش گذاشته است که TLC و QLC را پشتیبانی میکند.
اینتل اولین شرکتی نیست که در مورد احتمال عرضه QLC NAND صحبت میکند اما جالب اینجاست که صنعت کامپیوتر خیلی سریع بهسوی استاندارد NANDمتراکم پیش میرود . NAND بر اساس تعداد بیتهای داده که در هر سلول حافظه فیزیکی ذخیره میشود تقسیم میشود , SLC ( سلول تک سطحی) یک بیت را ذخیره میکند , MLC ( سلول چند سطحی) دو بیت و TLC ( سلول سه سطحی) سه بیت و QLC ( سلول چهار سطحی ) چهار بیت ذخیره میکند .
ذخیره داده بیشتر در هر سلول, NAND را متراکمتر میکند اما حافظه را کندتر میکند و زمان بیشتری صرف خواندن و نوشتن داده میشود وقتیکه دادههای زیادی در هر سلول ذخیرهشده است .
اینتل اولین شرکتی نیست که در مورد احتمال عرضه QLC NAND صحبت میکند اما جالب اینجاست که صنعت کامپیوتر خیلی سریع بهسوی استاندارد NANDمتراکم پیش میرود . NAND بر اساس تعداد بیتهای داده که در هر سلول حافظه فیزیکی ذخیره میشود تقسیم میشود , SLC ( سلول تک سطحی) یک بیت را ذخیره میکند , MLC ( سلول چند سطحی) دو بیت و TLC ( سلول سه سطحی) سه بیت و QLC ( سلول چهار سطحی ) چهار بیت ذخیره میکند .
ذخیره داده بیشتر در هر سلول, NAND را متراکمتر میکند اما حافظه را کندتر میکند و زمان بیشتری صرف خواندن و نوشتن داده میشود وقتیکه دادههای زیادی در هر سلول ذخیرهشده است .
وقتیکه کل NAND در یک ساختار 2D قرار گرفت تبدیل TLC NAND به مقیاس دشوار بود و برای QLC NAND به علت عمر کوتاه سلولی این کار عملاً غیرممکن بود . تغییر به 3D NAND به شرکتها اجازه داد که از تکنولوژی قدیمی استفاده کنند که در آن سلولهای حافظه بزرگتر بودند . 3D NAND در سامسونگ از تکنولوژی پردازش 40nm در مقایسه با آخرین نسل 2D NAND استفاده میکند که از تکنولوژی 20nm استفاده میکند . ازآنجاییکه حافظه NAND بر اساس فرآیند قدیمیتر ساختهشده دارای سلولهای بزرگتری است و میتواند بهراحتی چندین بیت را ذخیره کند اما قابلیت اطمینان 3D NAND و تعداد برنامه کلی / سیکل پاک کردن (P/E cycles) آن بالاتر است .
اینتل در حال برنامهریزی یک سری جدید از SSD های، 545s، 600p، 660p، 700p و 760p است. بهجز 545s درایوهای جدید همگی مبتنی بر PCI Express با یک درایو 32-layer TLC و چهار درایو 64- layer هستند – سه تا TLC و یک QLC . عملکرد درایو QLC عبارت است از : خوانش 1800MB/s و نوشتن 1100MB/s که خیلی بیشتر از انتظار ما است . ادعاشده است که سرعت 700p مبتنی بر BGA فقط کمی بالاتر است .
ما قصد داریم تا جاییکه امکان دارد در رابطه با QLC محتاطانه خوشبین باشیم . ظهور QLC میتواند قیمت 512GB SSDs را به 100 دلار کاهش دهیم که بسیار عالی خواهد بود اما TLC NAND مشکلاتی دارد که تولیدکنندگان باید آن را برطرف کنند و QLC NAND ممکن است رمپ صافتری داشته باشد که باید منتظر بود و دید.